1. BSO615C G
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSO615C G 

产品描述

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8-Pin DSO

内部编号

173-BSO615C-G

生产厂商

infineon technologies

infineon

#1

数量:1697
1+¥5.6069
10+¥4.7864
100+¥3.6787
500+¥3.2479
1000+¥2.5641
2500+¥2.2701
10000+¥2.1812
25000+¥2.0445
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:1459
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSO615C G产品详细规格

规格书 BSO615C G datasheet 规格书
BSO615C G datasheet 规格书
BSO615C
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 N and P-Channel
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 3.1A, 2A
Rds(最大)@ ID,VGS 110 mOhm @ 3.1A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 20µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 22.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 380pF @ 25V
功率 - 最大 2W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 PG-DSO-8
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8DSO
渠道类型 N|P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 3.1@N Channel|2@P Channel A
RDS -于 110@10V@N Channel|300@10V@P Channel mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 16@N Channel|24@P Channel ns
典型上升时间 75@N Channel|105@P Channel ns
典型关闭延迟时间 25@N Channel|125@P Channel ns
典型下降时间 18@N Channel|90@P Channel ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
P( TOT ) 2W
匹配代码 BSO615C G
R( THJC ) 40K/W
LogicLevel YES
单位包 2500
标准的提前期 14 weeks
最小起订量 2500
Q(克) 22.5nC
封装 REEL
LLRDS (上) 0.15Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 4.5V
我(D ) 3.1A
V( DS ) 60V
技术 SIPMOS
的RDS(on ) at10V 0.11Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3.1A, 2A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 20µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
供应商设备封装 PG-DSO-8
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 110 mOhm @ 3.1A, 10V
FET型 N and P-Channel
功率 - 最大 2W
输入电容(Ciss ) @ VDS 380pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 22.5nC @ 10V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BSO615CINCT
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N and P-Channel
配置 Dual Dual Drain
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 3.1 A, - 2 A
系列 BSO615
功率耗散 2 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 DSO-8
零件号别名 BSO615CGHUMA1 SP000216311
上升时间 75 ns, 105 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 +/- 60 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 18 ns, 90 ns
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3.1A, 2A

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