规格书 |
BSO615C |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | N and P-Channel |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 3.1A, 2A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 20µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 22.5nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 380pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 8DSO |
渠道类型 | N|P |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 60 V |
最大连续漏极电流 | 3.1@N Channel|2@P Channel A |
RDS -于 | 110@10V@N Channel|300@10V@P Channel mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 16@N Channel|24@P Channel ns |
典型上升时间 | 75@N Channel|105@P Channel ns |
典型关闭延迟时间 | 25@N Channel|125@P Channel ns |
典型下降时间 | 18@N Channel|90@P Channel ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
P( TOT ) | 2W |
匹配代码 | BSO615C G |
R( THJC ) | 40K/W |
LogicLevel | YES |
单位包 | 2500 |
标准的提前期 | 14 weeks |
最小起订量 | 2500 |
Q(克) | 22.5nC |
封装 | REEL |
LLRDS (上) | 0.15Ohm |
汽车 | NO |
LLRDS (上)在 | 4.5V |
我(D ) | 3.1A |
V( DS ) | 60V |
技术 | SIPMOS |
的RDS(on ) at10V | 0.11Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 3.1A, 2A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 20µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
供应商设备封装 | PG-DSO-8 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
FET型 | N and P-Channel |
功率 - 最大 | 2W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 380pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 22.5nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | BSO615CINCT |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N and P-Channel |
配置 | Dual Dual Drain |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 3.1 A, - 2 A |
系列 | BSO615 |
功率耗散 | 2 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | DSO-8 |
零件号别名 | BSO615CGHUMA1 SP000216311 |
上升时间 | 75 ns, 105 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | +/- 60 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 18 ns, 90 ns |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 3.1A, 2A |
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